MBE法和HVPE法生长GaN光学性质比较

2013-08-05

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采取条件反射性光谱图仪图阐述和光致会放光谱图仪图阐述，对选用氢化物气质联用本质性法（HVPE）和碳原子束本质性法（MBE）植物的种子发芽GaN样本英文的磁学经营性质确定了理论研究。由条件反射性光谱图仪图阐述断定样本英文的膜厚和禁资源带宽，同時也说明确HVPE法植物的种子发芽GaN的传输速率快于MBE法。而在多种积分兑换精力下的光致会放光谱图仪图阐述的阐述，会可以看出MBE配制样本英文中没能显眼的黄带会放光情况，甚至带边会放光峰光强比HVPE样本英文强，阶段性论文是MBE比HVPE配制样本英文产品好。